‘lllvVISHAYBV
Instantaneous Reverse Leakage
Instantaneous Forward Current (A)
Current (UA)
100
3
Fig
100
10
9
0.01
0 001
MURs14o, MURs16o
Vishay General Semiconductor
wwwyehayeom
Junction Capacitance (pF)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
0.4 0.5 1 2 1.6
Instantaneous Fonlvard Voltage (V)Reverse Voltage (V). 3 ? Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 5 ? Typical Junction Capacitance
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Revision: 05-Sep-13
D0-214AA (SMB)
C h d B d
a‘ 0 e an Mounting Pad Layout
ii
+ +0 085 (2 159) MAX.i 0.086 (2.18) MIN —‘ 0.180 (4.57) + ‘" To_160(4_06) 0 060 (1 52) MlN.+ +
0.086 (2.20) 01558 94) ( l i
0.077 (1.95) 0130(a 30) Ta? 5
0.012 (0.805)
*1“ 0.006 (0.152) 0 220 (5 59) REF. ?
0.096 (2.44)
0.004 (2.13)
0.060 (1.52) * i (0.008 (0 2)
0.030 (0.76) 0 (0)0.205 (5.21)
0.220 (5.59)
3 Document Number: 88688
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.con1, DiodesAsia@vishay.oom, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?910o0
相关PDF资料
MURS205T3G DIODE ULTRA FAST 2A 50V SMB
MURS230T3G DIODE ULTRA FAST 2A 300V SMB
MURS260T3G DIODE ULTRA FAST 2A 600V SMB
MURS320-13-F DIODE SUPERFAST GPP 3A 200V SMC
MURS320T3 DIODE ULTRA FAST 3A 200V SMC
MURS360BT3G DIODE ULT FAST 3A 600V SMB
MURS360HE3/57T DIODE 3A 600V 50NS UF DO214AB
MURS360SHE3/5BT DIODE 3A 600V 50NS UF DO214AB
相关代理商/技术参数
MURS160/2BT 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURS160/2CT 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURS160/2T 功能描述:整流器 1.0 Amp 600V 25ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURS160/52T 功能描述:整流器 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURS160/55T 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURS160/5BT 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURS160/5T 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURS160-13 功能描述:整流器 600V 1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel